太陽電池の製造方法

開放特許情報番号
L2003002828
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-290003
出願日 2000/9/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-100789
公開日 2002/4/5
登録番号 特許第3513592号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 太陽電池の製造方法
技術分野 機械・加工、化学・薬品
機能 機械・部品の製造
適用製品 シリコン薄膜でなるシリコン層を有する太陽電池、結晶系シリコン薄膜の太陽電池の製造方法
目的 中間層からの不純物の熱拡散により、シリコン薄膜中に高濃度の不純物層を精度よく形成することができる製造方法の提示。
効果 シリコン薄膜をはりあわせる前に高濃度の不純物層を拡散させることなく、また、追加のプロセスを加えることなく、裏面電界層や裏面電極層を形成することが可能となり、太陽電池の高効率化および低価格化を図ることができる。
技術概要
この技術では、P型またはN型の不純物を含む中間層がシリコン層と支持基板とにはさまれ、熱処理によって不純物がシリコン層に拡散されることでシリコン層中にP型またはN型の不純物層を形成するものである。さらに、この技術にかかる太陽電池の製造方法は、シリコン層が単結晶シリコンまたは多結晶シリコンで形成されていることである。すなわち、厚さが100μm以下の単結晶または、多結晶のシリコン層(シリコン薄膜)と支持基板との間に不純物を含む中間層を形成し、この中間層に含まれる不純物が熱処理によってシリコン薄膜に拡散することによってP型またはN型の高濃度の不純物層を形成する。さらに、中間層に含まれる不純物が第III族の元素もしくはその化合物または第V族の元素もしくはその化合物で形成されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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