光記憶素子

開放特許情報番号
L2003002819
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-282327
出願日 2000/9/18
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-090939
公開日 2002/3/27
登録番号 特許第3564478号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光記憶素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光照射によって情報の書き込み・消去を行う新しい素子
目的 光誘起相転移物質を用いて、高速かつ,消費エネルギーが小さく、情報記憶の寿命が長い、光で書き込み消去可能な光記憶素子の提供。
効果 光誘起相転移物質を用いて、消費エネルギーが小さく、情報記憶の寿命が長い、光で書き込み消去可能な光記憶素子を提供できた。
技術概要
この技術では、書き込み消去に適した光記憶素子は、双方向光誘起相変化を起こすためには二つの相のエネルギーがかなり接近している必要があり、このような物質を探索しなければならなかった。用いるいくつかの空間的な単位について定義する。最も小さい単位はa状態あるいはb状態をとる最小の単位で、「サイト」と呼ぶ。実際にはa状態、b状態はスピン状態などを意味することが多く、その場合は一つのスピンの構成単位である、一原子や、一分子を意味する。「ユニット」という言葉を同じ種類のサイトの集合体の意味で用いる。この技術の光記憶素子を端的に示せば、α、β両ユニットを超格子として組んだ素子である。a相の超格子構造に光照射を行いb相にすると、相転移は一般的には核形成、すなわちある程度の大きさになるまでに非常に時間がかかり,それを超えると急速に変化が進む傾向がある。超格子構造ではβユニットは局所的にはb相の方が安定なので速やかにb相に移行し、核の役割をなして結局短時間で相変化が完了する。短時間で完了は光照射時間の短縮を意味して、省電力化につながる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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