アルミナ単結晶基板の表面に形成された超伝導薄膜からなる超伝導体、及びアルミナ単結晶基板の表面に超伝導薄膜を形成する方法

開放特許情報番号
L2003002776
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-265066
出願日 2000/9/1
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-068892
公開日 2002/3/8
登録番号 特許第3612556号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 アルミナ単結晶基板の表面に形成された超伝導薄膜からなる超伝導体、及びアルミナ単結晶基板の表面に超伝導薄膜を形成する方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高温酸化物超伝導体、移動体通信用のマイクロ波フイルター、限流器
目的 アルミナ単結晶基板の表面上に形成された超伝導薄膜からなる新規な超伝導体、及びアルミナ単結晶基板の表面上に超伝導薄膜を形成する超伝導体の新規な製造方法の提供。
効果 単結晶アルミナ基板上にイットリウム系超伝導薄膜を設けることができる。又、大直径の単結晶アルミナに対しても対処可能であり、面積の大きな単結晶アルミナを基板とした超伝導体を得ることができる。
技術概要
 
この技術では、アルミナ単結晶板の表面に、希土類酸化物及びアルミニウム含有化合物を溶媒に溶解させ、均一な溶液として、アルミナ単結晶表面に塗布乾燥させ、薄膜を形成し、加熱焼成すると、希土類金属とアルミニウムからなるエピタキシャルな薄膜を形成することができ、このエピタキシャルな薄膜を中間層とし、この表面上に超伝導膜を形成すると、単結晶アルミナ基板上に超伝導膜を形成することができる。即ち、希土類金属:アルミニウム:酸素の組成が1:1:3である複合酸化物のエピタキシャル薄膜、及びYBa↓2Cu↓3O↓7イットリウム系超伝導体エピタキシャル薄膜からなる超伝導体であって、希土類金属が、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムから選ばれたものである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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