情報記録方法

開放特許情報番号
L2003002775
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-264151
出願日 2000/8/31
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-074665
公開日 2002/3/15
登録番号 特許第3876281号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 情報記録方法
技術分野 情報・通信
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 光スイッチ、光結合器、画像相関装置、光空間変調器
目的 アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の薄膜に光照射して、表面に凹凸パターンを形成させて情報記録を行う際の凹凸形成速度の高速化。
効果 アゾベンゼン構造を含む高分子化合物の薄膜に凹凸パターンを形成させる場合、従来の方法よりも、5倍以上の形成速度で行うことができる。このようにして形成された微細な凹凸パターンは、情報記録以外にも、光スイッチ、光結合器、画像相関装置、光空間変調器などにも利用することができる。
技術概要
この技術では、式で表わされる循環単位からなり、共重合分率n:mが0.36:0.64、数平均分子量5900、ガラス転移温度128℃を有する高分子化合物をクロロホルムに溶解し、濃度5質量%の塗布液を調製する。この塗布液を厚さ1mmのスライドガラス基板上にスピンコート法(回転数700回転/分、回転時間50秒)で塗布し、乾燥して厚さ1μmの薄膜を形成する。次にアルゴンイオンレーザーの波長488nmのラインを、書き込み光及びバイアス光として用い、凹凸パターンを形成する。この際、書き込み光としては、斜め45°方向に電場振動面をもつ強度181.85mW/cm↑2の直線偏光を用い、バイアス光としては、鉛直方向に電場振動面をもつ直線偏光の干渉縞光(縞の間隔約3μm)を用い、強度を0〜89.86mW/cm↑2の範囲内で変化させる。バイアス光強度0mW/cm↑2の場合、書き込み光により形成されたピットの深さが5.8nmであったのに対し、バイアス光強度89.96mW/cm↑2の場合、形成されたピットの深さは57.3nmであり、ほぼ10倍に書き込み速度が加速される。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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