酸化物立方晶系(111)基板を用いる酸化亜鉛等の六方晶系物質の(0001)エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜

開放特許情報番号
L2003002763
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-256967
出願日 2000/8/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-068889
公開日 2002/3/8
登録番号 特許第3579712号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化物立方晶系(111)基板を用いる酸化亜鉛等の六方晶系物質の(0001)エピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物系電子磁気素子、酸化物エレクトロニクス
目的 酸化物立方晶系(111)基板を用いて酸化亜鉛等の六方晶系物質の(0001)のエピタキシャル薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜の提供。
効果 ZnOやTi↓2O↓3等の六方晶系物質及びそれらに他の元素を微量添加して半導体化した材料の(0001)エピタキシャル薄膜やそれらの多層積層薄膜の作製ができる。又、酸化物エレクトロニクスにおける諸物性を有する金属酸化物系等の物質の整合多層薄膜による電子素子化が可能となる。
技術概要
この技術では、パルスレーザ蒸着法やプラズマCVD等の物理的及び化学的成膜法のいずれかにより、立方晶系酸化物の(111)単結晶基板を用いて、酸化亜鉛(ZnO)や三酸化二チタン(Ti↓2O↓3)等及び他の元素の微量添加により半導体化させたZnOやTi↓2O↓3等の六方晶系結晶構造を持つ物質の(0001)配向エピタキシャル(単結晶性)薄膜、及びそれら物質の単結晶性多層積層薄膜を同単結晶基板上に作製する。即ち、パルスレーザアブレーション蒸着(PLAD)法を用いて、LSAT(111)単結晶基板上にZnO(0001)エピタキシャル薄膜の作製を行う場合、膜を作ろうとする物質の焼結したターゲットを真空チャンバー(容器)中にセットしておき、外部から光学窓を通してパルスレーザ光をそれに集光照射してターゲット物質を爆発的に分解剥離させて、それを対向する位置にあり電気ヒータにより一定温度に制御された基板ホールダー上の基板上に衝突させて、その物質の薄膜を作製する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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