微細パターニング方法

開放特許情報番号
L2003002753 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/28
最新更新日
2015/8/28

基本情報

出願番号 特願2000-251338
出願日 2000/8/22
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-064080
公開日 2002/2/28
登録番号 特許第3401565号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 微細パターニング方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 半導体製造、単結晶シリコン
目的 単結晶シリコンをパターンニングするに際して、従来行っていた複雑なマスキング作業を必要とせず、かつ、エッチング溶液の濃度によりパターンニングの態様を変えることができるようにした微細パターニング方法の提供。
効果 フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせず、短時間で容易にエッチングマスクパターンの形成と変更を行うことができ、自由度の高いパターンニングを行うことができる。
技術概要
この技術では、摩擦力顕微鏡の機構を用い、単結晶シリコン材料に対して端部にダイヤモンド砥粒を備えたレバーを有するカンチレバーを強く当接させる。レバー先端で反射されたレーザーを分割フォトディテクタで検出することによりレバーの動きを検出する。この信号によりフィードバック制御装置はチューブPZTスキャナをX−Y−Z方向に移動することにより所定形状の微細機械加工を施す。このようにして形成された材料に対してKOH水溶液でエッチングを行うと、このエッチング溶液の濃度が薄いときには微細機械加工を行った部分が凸部となり、濃いときは凹部となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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