ダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子

開放特許情報番号
L2003002576
開放特許情報登録日
2003/3/20
最新更新日
2015/8/27

基本情報

出願番号 特願2000-089516
出願日 2000/3/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-274455
公開日 2001/10/5
登録番号 特許第3411989号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド半導体発光素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 発光素子(発光デバイス)としての展開が期待されるダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子
目的 ダイヤモンドを紫外光の発光材料として有効に活用し、発光デバイスやレーザレバイスを確実に実現することができるダイヤモンド半導体およびダイヤモンド半導体発光素子の提供。
効果 ダイヤモンド半導体が、非線形に変化する励起子発光の発光強度特性を有するので、極めて効率良く紫外光を発光させることができるようになり、したがって、ダイヤモンドを紫外光の発光材料として有効に用いることが可能となり、発光デバイスやレーザデバイスを確実に実現に至らせることができる。
技術概要
この技術における原料ガスは、炭素源であるメタンガスと水素ガスと必要に応じて供給される不純物ドープ用ガスとの混合ガスであり、各ガスボンベから減圧弁およびマスフローコントローラを経て、ガス導入管から反応容器に導かれ、反応容器上部のシャワーヘッドからガスシャワーとして反応容器内に導入される。メタンガス側のマスフローコントローラには、0.5%以下の混合比(水素ガスに対するメタンガスの割合)を得るために精度の高いものを用いる。このように、非線形な発光強度特性を有するダイヤモンド半導体として、メタンガス濃度の雰囲気中で合成し、室温で紫外光を発光する程度に高品質のものを用いるようにしたので、その高品質の度合いをメタンガス濃度に応じて制御することができ、このため、非線形の光学特性のしきい値をそのメタンガス濃度に応じて低く制御することができ、したがって、さらに効率良く紫外光の発光を行わせることができるようになる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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