高温・高圧下にある反応器への基質導入法

開放特許情報番号
L2003002572
開放特許情報登録日
2003/3/20
最新更新日
2015/8/26

基本情報

出願番号 特願2000-087581
出願日 2000/3/27
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-269565
公開日 2001/10/2
登録番号 特許第3484493号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 流通式反応システム及び高温・高圧下にある反応器への基質導入方法
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 高温・高圧下にある反応器へ基質を安定して導入するための手段を付加した流通式反応システム、反応システムにより高温・高圧下にある反応器へ基質を安定して導入する方法
目的 反応系内に基質を安定して導入することを可能とする高温・高圧下にある反応器へ基質を導入するための新しい方法、及びこの方法に用いる反応システムの提供。
効果 1)高温・高圧下にある反応器へ基質を安定して導入することができる。2)基質導入量をスクリューの回転を制御することによって調整することができる。3)連続反応が可能である。4)長時間の正確な実験系を維持することができる。5)流通式反応システムにおける新しい基質導入方法を提供することができる。6)流通反応系の内部の圧力変動が生じない機構を提供することができる、等の効果が奏される。
技術概要
この技術は、流通式であることから、液は高圧ポンプによって系内に押し込まれ、供給液バランスコイル、反応器及び保圧弁を通過して出口に至る。更に、供給液バランスコイルを通してスラリー供給タンクへも通じている。従来の方法と大きく異なる点は、高圧内に大気圧から押し込む構造となっていないことである。これによって、圧縮による目詰まりや、スラリー注入による反応システム内部の圧力変動が生じない機構とすることができる。供給する水の流れは、供給液バランスコイルで流量比率を自由に変化させることで基質濃度を変えることができる。(1)このように、反応器へ基質を導入する構造が、反応システム内部の圧力変動が生じない機構であり、高圧系内に大気圧から押し込む構造となっていない。この機構であれば理論的に400、600atmや、それ以上の高圧であっても基質を系内に安定して導入できる利点がある。(2)従来の方法のような圧縮によるスラリー注入で基質導入に伴う脈圧が生じることが無いため、反応システム内部の圧力変動がほとんど生じない(圧力変動幅が0.1atm以内である)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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