スパッタリングターゲット組立体

開放特許情報番号
L2003002519
開放特許情報登録日
2003/3/20
最新更新日
2015/8/26

基本情報

出願番号 特願2000-073510
出願日 2000/3/16
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-262332
公開日 2001/9/26
登録番号 特許第3527939号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 スパッタリングターゲット組立体
技術分野 金属材料
機能 加熱・冷却
適用製品 加圧下通電加熱法、インサート材、バッキングプレート、元素粉末、混合粉末、通電加熱、焼結、空孔率
目的 合金粉末の混合粉末を加圧下通電加熱法により成形することで、均一かつ微細な組成で割れがない合金ターゲットの提供と、さらに均一かつ容易にバッキングプレートと接合したスパッタリングターゲット組立体の提供。
効果 均一な組成の合金ターゲット組立体や、非晶質相あるいは金属間化合物相から成るターゲット組立体を割れなく容易に提供することができる。また、加圧下通電加熱法において温度圧力を制御することにより成形体の空孔率を制御して割れのないターゲット材を容易に提供できる。さらに、従来時間と手間のかかったバッキングプレートの接合も加圧下通電加熱法を用いることにより均一な接合界面層を容易に作成することが可能となる。
技術概要
 
この技術では、一般的な合金、金属間化合物を構成する元素の市販されている粉末が利用できる。元素粉末の混合方法は特に指定しないが、各元素を均質微細に混合できる方法が好ましく、例えば機械的合金化処理や乳鉢を用いた乾式混合法が使用できる。得られた粉末を固化成形するための雰囲気は、粉末の酸化を防止するため、不活性ガス雰囲気や減圧あるいは真空雰囲気が好ましい。加熱方法は特に指定しないが、短時間で目的温度に到達する方法が好ましく、通電加熱や赤外線イメージ炉、高周波加熱炉などが利用できる。また、加熱時には成形性を向上するため、加圧しなければならない。加圧方法は特に指定しないが、一般的には油圧や空圧を利用した一軸の加圧や、ガス圧を利用した等方的な加圧が利用される焼結時に導入する空孔率の割合は特に指定しないが、体積率で5から20%が好ましい。次に、ターゲット材をインサート材を介してバッキングプレートと接合する。バッキングプレートに使用する材料は特に指定しないが、電気伝導性、熱伝導性に優れた金属材料で、非磁性材料であることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT