双安定型レーザーダイオード素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2003002489
開放特許情報登録日
2003/3/20
最新更新日
2015/8/26

基本情報

出願番号 特願2000-059214
出願日 2000/3/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-196686
公開日 2001/7/19
登録番号 特許第3829173号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 双安定型レーザーダイオード素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光通信システムやその他の光応用システムに必須な双安定型レーザダイオード素子
目的 ヒステリシスループの幅が広くとれ、安定な動作特性を有する新しい型の双安定型レーザーダイオードの提供。
効果 ヒステリシスループの幅が広くとれ、安定な動作特性を有する。
技術概要
この技術では、非相反光増幅部とは、少なくとも一層の光増幅層と、吸収性の磁気光学層を含み、磁気光学層の磁化は光の進行方向に垂直でかつ膜面内にあることが要件である。すなわち、磁化の方向が光の進行方向に垂直で膜面内にある磁気光学層を含む光増幅器においては、TMモードの光に対する光利得が光の進行方向によって変化する現象を利用して実現される。この現象は少なくとも一方が磁気光学的に活性であり、その磁化の方向が光の進行方向に垂直である二つの層の界面における光の反射率が光の進行方向によって変わることに基づいている。その磁化の方向が光の進行方向に垂直でかつ膜面内にある金属強磁性体の反射率は光の進行方向によって異なる。光損失は、導波コア層に光増幅機能をもたすことにより補償することができるが、増幅層に引っ張り歪を掛けることにより実現できる。望ましい双安定型レーザーダイオードの構造は、共通の層状構造を利得部、非相反光増幅部、可飽和吸収部(saturableabsorber section)の3つのセクション亘って設けている構造を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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