酸化膜/炭化珪素界面の作製法

開放特許情報番号
L2003002476
開放特許情報登録日
2003/3/20
最新更新日
2015/8/26

基本情報

出願番号 特願2000-049762
出願日 2000/2/25
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-244260
公開日 2001/9/7
登録番号 特許第3459975号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化膜/炭化珪素界面の作製法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体基板として炭化珪素を用いた金属−酸化膜−半導体(MOS)構造を有するキャパシタ、電界効果型トランジスタ
目的 炭化珪素基板を用いて金属−酸化膜−半導体(MOS)構造を形成する際に、通常のプロセスに加え、紫外線照射を伴うオゾン暴露による前処理洗浄工程を付加することにより、フラットバンドシフト電圧の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面の形成。
効果 フラットバンドシフト電圧(DVFB)の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面を形成することができる。
技術概要
この技術では、炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から1200℃の範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行うことにより、フラットバンドシフト電圧(DVFB)の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面を形成する。即ち、SiC基板には8°オフ4H−SiC(0001)エピタキシャル基板を使用する。オゾン前処理洗浄は、RCA洗浄に加え10nmの犠牲酸化処理を行った基板に対し、230〜500nmの紫外線照射を行いながら、減圧下で高濃度オゾン(25%)ガスを室温で約1時間暴露する。このオゾン前処理洗浄後の基板を、1200C、150分間ドライ酸化し、約50nmのゲート酸化膜を形成し、その上にAl電極を蒸着してMOSキャパシタを作製する。そしてMOSキャパシタの高周波CV測定からフラットバンド電圧シフト量を調べる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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