結晶性膜作成方法及び装置

開放特許情報番号
L2003002467
開放特許情報登録日
2003/3/20
最新更新日
2015/8/26

基本情報

出願番号 特願2000-041180
出願日 2000/2/18
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所、財団法人日本産業技術振興協会、田上 尚男、牧田 雄之助
公開番号 特開2001-226193
公開日 2001/8/21
登録番号 特許第3503054号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所、牧田 雄之助
発明の名称 結晶性膜作製方法及び装置
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 エレクトロニクス分野における材料作製法,結晶性基板上へ基板結晶と同種あるいは異種の材料の結晶性膜をエピタキシャル的に成長させるための方法
目的 イオン化された分子(原子)ビームを活用することにより、従来はエピタキシャル薄膜の作製が困難であった、高融点材料を成分に含むベータ鉄シリサイド材料等薄膜をエピタキシャル成長させることのできる成膜法の提供。
効果 従来はエピタキシャル薄膜の作製が困難であった、高融点材料を成分に含むベータ鉄シリサイド材料等薄膜をエピタキシャル成長させることができる。
技術概要
この技術による部分イオン化ビームを利用する成膜装置は,膜の成長に適した温度に加熱された例えばシリコン単結晶である基板材料を保持する試料ホルダーおよびホルダーの位置および方向を制御するマニピュレータを有する。又,例えば鉄である部分イオン化ビームは、原料の鉄を蒸発させて鉄分子ビームを放出させるための蒸発源、および鉄ビームに対して電子シャワーを照射して鉄ビームを部分的にイオン化するためのイオン化機構から構成される部分イオン化ビーム源から供給される。成長室は通常は、真空ポンプシステムによって超高真空に排気されている。部分イオン化ビーム源のほかに、中性分子ビーム源が含まれている。これらの蒸発源は鉄以外の例えば、シリコンの中性分子ビームや、アンチモンの中性分子ビームを供給するものであり、ベータ鉄シリサイド膜の形成のために必要な鉄以外の材料を供給する。これにより,基板上へ結晶性の材料膜を成長させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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