透明導電性膜およびその製造方法

開放特許情報番号
L2003002242 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/14
最新更新日
2015/8/25

基本情報

出願番号 特願平11-320431
出願日 1999/11/11
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-143534
公開日 2001/5/25
登録番号 特許第3345638号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明導電性膜およびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 コンピューター、携帯電話、表示素子、液晶
目的 公知の透明導電性膜に比して、より低い抵抗率を示す透明導電性膜およびその製造方法の提供。
効果 5×10↑(−5)Ωcm以下という低い抵抗率の透明導電性膜を得ることができる。
技術概要
 
この技術は、窒素を微量に含有するインジウムスズ酸化物からなる膜が低い抵抗率を示し、優れた透明導電性膜となることから開発されたもので、基体上に形成され、窒素を含有するインジウムスズ酸化物からなる膜厚5nm〜100μmの透明導電性膜を提供するものである。そして真空中で励起状態とされている基体表面に気化したインジウムスズ酸化物を蒸着させることにより、目的の透明導電性膜を製造している。「基体表面を励起状態とする」とは、照射面に流入するエネルギー密度が0.1mW/m↑2以上であるイオンビームを照射した後の基体表面が、励起源の照射前に比して、より大きな熱運動エネルギーを有する状態となることを意味する。基体の材料としては、特に限定されず、シリコンウエーハー、ガラス、セラミックス、有機高分子などが例示される。また窒素の含有量は、通常0.01〜10原子%程度であり、より好ましくは1〜5原子%程度とする。インジウムスズ酸化物の蒸着は、真空蒸着法,レーザーアブレーション法、イオンプレーティング法、イオンビームデポジション法およびCVD法のいずれかにより行っている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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