半導体デバイスおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2003002217
開放特許情報登録日
2003/3/14
最新更新日
2015/8/25

基本情報

出願番号 特願平11-277520
出願日 1999/9/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所、牧田 雄之助、田上 尚男
公開番号 特開2001-102641
公開日 2001/4/13
登録番号 特許第3401594号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所、牧田 雄之助
発明の名称 半導体デバイスおよびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ベータ鉄シリサイド、半導体デバイス、フッ化カルシウム基板、半導体材料
目的 鉄板、シリコン基板、またはフッ化カルシウム(CaF↓2)を入れて結晶成長することにより、大型の板状単結晶を得る方法及びそのような結晶をベース材料として作製する半導体デバイスの提供。
効果 CVT法を用いて、フッ化カルシウム、鉄、またはシリコンの単結晶基板上へ、伝導性、熱伝導度、またはバンド構造を制御したベータ鉄シリサイドあるいはそれをベースとする三元シリサイドのエピタキシャル膜が作製できる。
技術概要
蒸発源位置に、多結晶の鉄シリサイド原料物質、輸送媒体の沃素粉末、pn伝導形制御のためのドーパント、および熱伝導制御のためのドーパント、バンドギャップの大きさおよび遷移型を制御するためのドーパントを含むドーパント材料を置く。次に、アンプル内部の単結晶成長位置に、フッ化カルシウム、シリコン、または鉄のいずれかの基板試料を配置して、化学的気相輸送法に従って、長時間加熱処理を施すことによって、媒体である沃素が、アンプル中で循環対流する過程で、原料およびドーパントの分子を基板試料の上へ輸送して、そこに原料およびドーパントの分子を析出するようにする。このようにして、結晶成長位置に配置した基板試料上には、ドーパントの分子を含むベータ鉄シリサイドあるいはベータ鉄シリサイド構造を有する多元シリサイド単結晶がエピタキシャル的に成長する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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