有機チオ基を単分子層吸着させた金とその製造方法

開放特許情報番号
L2003002086
開放特許情報登録日
2003/3/14
最新更新日
2015/8/24

基本情報

出願番号 特願平09-264597
出願日 1997/9/29
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開平11-100385
公開日 1999/4/13
登録番号 特許第3658619号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 有機チオ基を単分子層吸着させた金とその製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 表面に有機チオ基を単分子吸着させた金とその製造方法
目的 安定なチオール等価体を用いた金表面に対するスルフィド化合物の吸着技術の開発。
効果 容易にトリメチルシリルエチル基を除去できることから、金表面上のスルフィド薄膜を製作する際の原料として極めて有用である。有機チオ基を吸着した金は、その不飽和結合部分が反応性を有し、非線形光学材料、光記録材料、光導波路材料等として利用することができる。
技術概要
 
この技術では、トリメチルシリルエチル基のようなトリ低級アルキルシリルエチル基がチオールの保護基として働き、また、フッ素イオン等の温和な条件下容易に除去でき、チオールの単分子層を形成しうる。すなわち、式(1)又は(2)で表わされる有機チオ基を表面に単分子層吸着させた金、R↑a−C≡C−S−(1)(式中、R↑aはアリール基又は飽和もしくは不飽和脂肪族基を示す。)R↑bR↑cC=CR↑d−S−(2)(式中、R↑b、R↑c、R↑dはアリール基又は飽和もしくは不飽和脂肪族基を示す。)及び(3)で表わされるトリ低級アルキルシリルエチルスルフィド化合物を含む溶液にフッ素イオン存在下金を接触させて表面に有機チオ基を単分子層吸着させた金の製造方法R↑e−S−CH↓2−CH↓2−SiR↓3(3)(式中R↑eはアリール基又は飽和もしくは不飽和脂肪族基を示し、Rは低級アルキル基を示す。)を提供する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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