炭化ケイ素膜の形成方法

開放特許情報番号
L2003001915 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/14
最新更新日
2015/8/21

基本情報

出願番号 特願平11-108718
出願日 1999/4/16
出願人 工業技術院長
公開番号 特開2000-303174
公開日 2000/10/31
登録番号 特許第3015892号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭化ケイ素膜の形成方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 イオンビームを基体に照射する炭化ケイ素膜、炭化ケイ素膜の形成方法
目的 メチルシランを励起して得られる、シラエチレンイオン、メチルシリレンイオン及びシリルメチレンイオンから選ばれた少なくとも一種のイオンを含むイオンビームを基体に照射する炭化ケイ素膜の形成方法の提供。
効果 結晶性に優れた炭化ケイ素薄膜を、比較的低い基体温度で簡単な方法によって形成できる。
技術概要
 
この技術において、シラエチレンイオン、メチルシリレンイオン及びシリルメチレンイオンは、イオン発生装置内において、メチルシランを励起することによって形成できる。メチルシランを励起することによって、メチルシランは1価に帯電し、さらに水素分子が脱離して、シラエチレンイオンが生成する。その後、一部がメチルシリレンイオン又はシリルメチレンイオンに変化する。この際に、励起条件に応じて、シラエチレンイオン、メチルシリレンイオン及びシリルメチレンイオンの内のいずれか一種又は二種以上を含むイオンビームが形成される。この技術では、イオンビーム中にシラエチレンイオン、メチルシリレンイオン及びシリルメチレンイオンの内のいずれか一種又は二種以上が存在すれば良く、これらのイオンの混合割合については、特に限定はない。尚、メチルシランを励起してイオンビームを形成する場合には、脱離した水素分子は、イオン化されていないため、イオンビーム中には混入しない。このため、このイオンビームを用いて形成される炭化ケイ素膜には、水素が混入することがなく、優れた特性の炭化ケイ素膜となる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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