半導体薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2003001901 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/14
最新更新日
2015/8/21

基本情報

出願番号 特願平11-080504
出願日 1999/3/24
出願人 工業技術院長
公開番号 特開2000-277537
公開日 2000/10/6
登録番号 特許第3032827号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体薄膜、遷移金属カルコゲニド、ゾル−ゲル法
目的 ゾル−ゲル法又はスプレー熱分解法により形成した前駆体から、簡単な手段で、しかも元素の添加を行うことなく、光学的、電気的物性を制御した半導体薄膜を製造することの実現。
効果 ガラス、単結晶、セラミックス、プラスチックなどの基板上に形成してなる、蛍光体薄膜、薄膜レーザー、透明導電性膜などとして有用な光学的、電気的物性を制御した半導体薄膜やパターン化された半導体薄膜を容易に得ることができる。
技術概要
 
この技術では、基板上に遷移金属カルコゲニド含有ゲル薄膜を形成したのち、これに活性線を照射して半導体薄膜を製造するに当り、遷移金属カルコゲニドのバンドギャップよりも高いエネルギーを有する活性線を照射して電子励起させる。及びこの際活性線のエネルギー密度を変えて、生成する半導体薄膜の光学的、電気的物性を制御する。遷移金属カルコゲニドを構成する遷移金属とは、電子構造上その3d、4d、5d及び6dの電子殻において電子の増加がみられる原子構造をもつ元素であり、原子番号21のScから30のZnまで、39のYから48のCdまで、57のLaから80のHgまで、及びアクチノイド元素がこれに含まれる。この中で特に好ましいのは、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、Ag、Cd、Ta、W、Ir、Eu及びSmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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