高い第三次光非線形係数を有するJ会合体薄膜、それを用いた光学素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2003001861 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/14
最新更新日
2015/8/21

基本情報

出願番号 特願平10-377260
出願日 1998/12/28
出願人 工業技術院長、周 豪慎、本間 格
公開番号 特開2000-199919
公開日 2000/7/18
登録番号 特許第3032805号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高い第三次光非線形係数を有するJ会合体薄膜、それを用いた光学素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 超高速光スイッチ、光ファイバ、光双安定性メモリ、フォトニクスデバイス
目的 簡単な作成プロセスを用いて、より安定なJ会合体の薄膜を作成することにある。また、優れた高い第三次光非線形係数を有する。これらのJ会合体の薄膜でフォトニクスデバイス化の提供。
効果 シアニン色素ドープシリカガラス薄膜の製造方法は極めて簡便な方法であるばかりでなく、この合成方法によってシアニン色素分子のJ会合体を高密度にシリカ膜中に均一に形成させることが可能である。
技術概要
 
この技術では、テトラエトキシオルソシリケイト(TEOS)0.25mlとエタノール(EtOH)5mlを10分間に撹拌し、その溶液に0.14Nの少量の希塩酸を0.0725ml加え、1時間撹拌した。さらに、シアニン色素を加えて、3時間撹拌し、ゾル溶液を調製した。次に、ゾル溶液を石英基板上に適量滴下し、基板を高速回転することにより、石英基板上にシアニン色素J会合体ドープしたシリカ薄膜を形成させた(スピンキャスティング法)。形成した膜は極めて薄い、厚みは約150nmである。この方法で合成したシアニン色素のJ会合体薄膜のJ−Bandの室温空気中の経時変化である。膜のキャラクタリゼーションは主に紫外可視吸収スペクトル法(日立U−4000)により行った。さらに、パルス幅180フェムト秒の超短パルス幅のレーザービームを1kHzで繰り返し発振するレーザー装置を用い、Z−scan法12により、液体窒素により冷却しながら真空中における膜の非線形光学特性を測定した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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