基板加熱によるTiNi形状記憶合金薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2003001756 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願平10-231176
出願日 1998/8/3
出願人 工業技術院長
公開番号 特開2000-054122
公開日 2000/2/22
登録番号 特許第3023778号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 基板加熱によるTiNi形状記憶合金薄膜の製造方法
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 基板加熱によるTiNi形状記憶合金薄膜の製造方法、CsCl型の結晶構造をもちかつ清浄度の高いTiNi形状記憶合金薄膜を低温で形成することができる基板加熱によるTiNi形状記憶合金薄膜の製造方法。
目的 ミクロ欠陥を抑制し、大気に曝すことなく清浄度の高いTiNi合金薄膜をスパッタリングにより容易に形成することができる基板加熱によるTiNi形状記憶合金薄膜の製造方法の提供。
効果 TiNi形状記憶合金薄膜が膜面内に(110)又は(100)面配向する膜であり、マイクロアクチュエータに適合する大きな変位量をもつ配向性結晶薄膜を得ることができ、また基板からの汚染あるいはスパッタリング成膜中に不純物の混入やピンホールのようなミクロ欠陥を抑制し、さらに大気に曝すことなく清浄度の高いTiNi合金薄膜をスパッタリングにより容易に形成することができる。
技術概要
 
この技術では、1 1000°C以上の融点をもつ金属若しくは合金の基板又は金属若しくは合金を成膜した基板を300°C(300°Cを除く)〜550°Cの温度に保持しながらスパッタリングによりTiNi形状記憶合金薄膜を形成する。2 1000°C以上の融点をもつ金属若しくは合金がPt若しくはその合金又はCu若しくはその合金であること。3 表面にSiO↓2膜を形成したSi基板に、1000°C以上の融点をもつ金属若しくは合金であるPt若しくはCu又はこれらの合金を成膜し、成膜した基板を250°C〜550°Cの温度に保持しながら、さらにその上にスパッタリングによりTiNi合金薄膜を形成する。4 TiNi形状記憶合金薄膜が膜面内に(110)面配向する膜であること。5 表面にSiO↓2膜を形成したSi基板を250°C〜550°Cの温度に保持しながらスパッタリングによりTiNi合金薄膜を形成すること。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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