ドーパントをドーピングした半導体装置及びそのドーピング方法

開放特許情報番号
L2003001701 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願平10-168677
出願日 1998/6/16
出願人 工業技術院長
公開番号 特開2000-003877
公開日 2000/1/7
登録番号 特許第2929004号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ドーパントをドーピングした半導体装置及びそのドーピング方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 細線構造及び半導体結晶層を有する半導体基板、半導体装置のドーピング技術
目的 原子層オーダでのプロファイル幅を持つドーピング層を設けた半導体装置及びそのドーピング方法の提供。
効果 原子層オーダでのプロファイル幅を持つドーピング層を形成することができる。さらに、原子層オーダで行ったドーピング構造に高温処理を付加する事によりドーピング分布を所望の幅まで広げることができる。
技術概要
この技術では、シリコン基板表面テラスにドーパント材料であるビスマスの埋め込み構造を作成し、さらにシリコン結晶を直接積層する事により完全に埋め込む。このように埋め込んだビスマス細線はシリコンに比べて過剰な電子を持っているためドーピング層として用いる事ができる。ビスマス細線はシリコン(001)基板上にビスマスを蒸着し、作成する。ビスマスがシリコン(001)表面に吸着すると、あたかもシリコンの様にダイマー構造を基板上に作り(2xn)構造と呼ばれる再配列構造になる。この表面上のビスマスは煩雑に基板最上面シリコンと置換しているが、ビスマス蒸発温度近傍では細線構造を安定な再配列構造とし形成する。(2xn)構造ビスマスに比べてビスマス細線の蒸発エネルギーは高く、結果として(2xn)構造ビスマスが蒸発してもビスマス細線構造は表面に残る。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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