透明導電性薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2003001669 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願平10-044442
出願日 1998/2/10
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-229120
公開日 1999/8/24
登録番号 特許第2945968号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明導電性薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 帯電防止膜、熱線反射膜、面発熱体、光電交換素子
目的 非加熱状態の基板上に、紫外光レーザを照射しながら酸化物半導体を蒸着させることを特徴とする透明導電性薄膜の形成方法の提供。
効果 効率よく透明導電性に優れる酸化物半導体薄膜を基板上に形成させることができる。又、帯電防止膜、熱線反射膜、面発熱体、光電変換素子、透明電極などとして有用である。
技術概要
この技術では、真空容器内に、パイレックスガラス基板を所定位置に設置して、排気バルブを開放し、容器内の真空度が5×10↑(−6)Torr程度になるまで真空ポンプで排気したのち、酸素ガス導入管(ステンレス鋼管)から、酸素雰囲気圧が2×10(−3)Torrになるように、酸素ガスを導入する。次いで、電子ビーム蒸発源により、酸化物半導体である酸化インジウム−5重量%酸化スズタブレットを蒸発させ、基板上に酸化物半導体を蒸着させる。この際の成膜速度は1〜2Å/秒とする。この蒸着と同時に、成膜中の基板に、KrFエキシマレーザビームを光学系及び石英窓を通して、平均レーザ出力を変化させ、繰り返し数40Hzで照射し、膜厚0.2μmの薄膜を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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