PZT系強誘電体薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2003001667 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願平10-038055
出願日 1998/2/3
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-220185
公開日 1999/8/10
登録番号 特許第2995290号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 PZT系強誘電体薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 微小変位制御用のアクチュエータ
目的 微小変位制御用のアクチュエータなどに利用できる優れた圧電効果を持つPZT系強誘電体薄膜の提供。
効果 (111)面が膜厚方向に対して配向した白金を下部電極として形成した基板の表面に(100)面を膜厚方向に対して配向した結晶方位を持つ圧電特性に優れたPZT系強誘電体薄膜を得ることができる。また、微小変位制御用のアクチュエータなどに利用できる
技術概要
この技術では、Ti薄膜を形成したTi/SiO↓2/Si基板からなる積層膜上にPt薄膜をスパッタリングにより形成する。次に、所定の組成(Pb/Ti/Zr=100/47/53)になるように秤量したZrとTiのアルコキシドを、脱水した酢酸鉛溶液に加え、127℃で還流させることによりPb、Ti、Zrに複合アルコキシド溶液を作成する。この溶液を用い、(111)面が膜厚方向に配向するPtコーティング層をもつPt/Ti/SiO↓2/Si基板上に3000rpmでのスピンコード法により薄膜を作成する。次に、これを乾燥した後、400℃および450℃の2種類の温度条件でそれぞれ保持時間:3分間、有機物熱分解を10〜25回繰り返した後、昇温速度30℃/secで700℃、1分間の焼成をO↓2雰囲気中で行い、膜厚300nm〜1μmのPb(Ti↓(0.47)Zr↓(0.53))O↓3薄膜をPt/Ti/SiO↓2/Si基板からなる積層薄膜上に形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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