層間架橋構造を有する層状化合物の製造方法

開放特許情報番号
L2003001626 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/20

基本情報

出願番号 特願平09-325495
出願日 1997/11/10
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-139826
公開日 1999/5/25
登録番号 特許第3146351号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 層間架橋構造を有する層状化合物の製造方法
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 層状ペロブスカイト型化合物、層間架橋構造、層状化合物、光触媒、インターカレーション反応、光応答性半導体特性
目的 層状化合物の層間距離を拡大して層間を修飾し、高機能光触媒として有用な層状化合物を効率よく製造する方法の提供。
効果 拡大された層間距離のシリカの支柱を有する層間架橋構造の層状化合物からなる多孔体を効率よく製造することができる。
技術概要
 
この技術では、NaNbO↓3とKCa↓2Nb↓3O↓10とを1150〜1350℃の温度で反応して、K[Ca↓2Na↓(n−3)Nb↓nO↓(3n+1)](式中のnは4〜6の数であり、Nbは10原子%以下の割合でNi、V、Cu、Cr及びWの中から選ばれた少なくとも1種の金属と置換されていてもよい)で表わされる層状ペロブスカイト型化合物を調製する。そして、これをプロトン交換処理したのち、長鎖アルキルアミンをインターカレートし、次いでテトラアルコキシシランを反応させ、さらに酸素含有ガス雰囲気下、400〜600℃の温度で焼成処理して層間にシリカの支柱を形成する。この層状ペロブスカイト型化合物は、NaNbO↓3とKCa↓2Nb↓3O↓10とを1150〜1350℃の高温で反応させることにより調製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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