高純度薄膜の形成方法

開放特許情報番号
L2003001570 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願平09-183109
出願日 1997/6/23
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-012731
公開日 1999/1/19
登録番号 特許第3128573号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 高純度薄膜の形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体製造プロセス、単結晶薄膜、配線用金属薄膜
目的 イオンビームスパッタによって薄膜を形成する方法において、イオン原料をセシウムイオンでスパッタすることによって負イオンを発生させ、さらに加速及び質量分離して負イオンビームとし、薄膜原料を負イオンビームでスパッタすることによって基材上に薄膜を形成させる高純度薄膜の形成方法の提供。
効果 負イオンビームと薄膜原料との組み合わせにより種々の薄膜を形成させることができ、特に高純度のシリコン薄膜を得ることができる。
技術概要
この技術は、高真空イオンビームスパッタ薄膜形成装置を用いて、高純度シリコン薄膜を形成するもので、装置は、イオン発生装置としてセシウムスパッタ型負イオン源を備え、装置内にセシウム蒸気の導入口、加熱できる金属部材及びイオン原料が設置されている。イオン発生装置中の真空度は約10↑(−6)Torr以下に設定している。発生した負イオンのイオン精製装置には、加速装置及び質量分離装置がそれぞれ設置されている。薄膜形成装置には、負イオンビームに照射される薄膜原料及びその対極として基材が設けられている。負イオンビームによるスパッタによって薄膜原料から飛び出した原子又は分子は基材上に堆積され、薄膜を形成する。この際、セシウム蒸気は通常160〜210℃で加熱して導入する。また、用いる金属部材としては、セシウム蒸気を熱電離できる限り制限されないが、特にタンタル、タングステン等が好ましい。セシウムの熱電離温度は、通常1000〜1100℃が好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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