酸化物薄膜の結晶成長方法

開放特許情報番号
L2003001505 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願平10-122632
出願日 1998/3/27
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-278996
公開日 1999/10/12
登録番号 特許第3018168号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化物薄膜の結晶成長方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ビスマスを構成元素に含む多元系酸化物薄膜の結晶成長法、分子線エピタキシー法、レーザーアブレーション法、スパッタリング法
目的 構成元素の一つであるビスマスの組成の過不足を防ぎ、高品質のBi↓2Sr↓2CaCu↓2O↓8酸化物薄膜を成長させることができる酸化物薄膜の結晶成長方法の提供。
効果 異相の生成や不純物の析出はほとんど発生せず、高品質のBi↓2Sr↓2CaCu↓2O↓8酸化物薄膜を得ることができる。又、より大きな超伝導電流を通電できるようになり、実用化の幅をより広いものとすることができる。
技術概要
この技術では、真空装置の内部一端寄りには、基板がヒータに接して配置してあり、基板の温度はヒータによって制御され、薄膜成長温度(環境温度)に保たれる。ここで、土台(基板そのものでも、基板の上に薄膜を生長したものでもよい)の上にまず第1段階として、ビスマスを構成元素に含む多元系酸化物薄膜の結晶成長法によって多元系酸化物Bi↓2Sr↓2CuO↓6薄膜を1分子層だけ結晶成長させる。次に第2段階は、環境温度を第1段階と同一の温度T1に設定した状態で、第1段階で形成したBi↓2Sr↓2CuO↓6薄膜の上に、そのBi↓2Sr↓2CuO↓6薄膜に含まれるストロンチウムの原子数の1/2の量のカルシウム原子および同じく1/2の量の銅原子を堆積させ、原子堆積層を形成する。第3段階においては、環境温度を第1段階及び第2段階と同一の温度T1に設定した状態で、Bi↓2Sr↓2CuO↓6薄膜と、原子体積層のカルシウム及び銅とを反応させ、目的とするBi↓2Sr↓2Ca↓nCu↓(n+1)O↓(6+2n)酸化物薄膜を結晶成長させる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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