金属酸化物薄膜の製造方法

開放特許情報番号
L2003001487 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願平10-082564
出願日 1998/3/13
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-256342
公開日 1999/9/21
登録番号 特許第3007961号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 金属酸化物薄膜の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 電子素子、光学素子、薄膜触媒、ガスセンサ素子
目的 基板に密着した均一な金属酸化物薄膜の形成。
効果 用いる有機酸金属塩等の種類にかかわらず、基板密着性及び機械的強度に優れた均一な薄膜を得ることができる。光学素子材料、電子素子材料、触媒デバイス材料、ガスセンサ等の用途において特に有用である。
技術概要
 
この技術では、有機酸金属塩等を基板に塗布した後、塗膜を紫外線照射により処理し、続いて熱分解し、基板に密着した均一な金属酸化物薄膜を作る。即ち、ガラス基板(18mm×18mm)上(片面)にナフテン酸コバルト膜をスピンコート法で薄膜を形成し、低圧水銀ランプ(50W)の紫外線を20分間照射すると、ナフテン酸コバルト膜は淡青紫色から褐色に変化する。次いで、400℃で1時間熱分解することにより、ガラス基板の全面に良く密着し、褐色で透明性のある酸化コバルト(Co↓3O↓4)薄膜を得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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