結晶方位観察法及び結晶方位可視化装置

開放特許情報番号
L2003001481 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/3/7
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願平10-072930
出願日 1998/3/23
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-271191
公開日 1999/10/5
登録番号 特許第3054695号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 結晶方位観察法及び結晶方位可視化装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 閃亜鉛鉱型構造を持つ化合物半導体、アンチフェイズドメイン
目的 エッチングによる危険な手法や高価な真空装置を使わなくても、閃亜鉛鉱型構造を持つ結晶の結晶方位(A原子、X原子それぞれのボンドの向き)及び結晶欠陥(APD)を非破壊かつ迅速に観察できる結晶方位観察法及び結晶方位可視化装置の提供。
効果 エッチングによる危険な手法や高価な真空装置を使わなくても、閃亜鉛鉱型構造を持つ結晶の結晶方位(A原子、X原子それぞれのボンドの向き)及びAPDを非破壊かつ迅速に観察することができる。
技術概要
この技術では、閃亜鉛鉱型構造を持つ結晶面上に、ダイヤモンド型構造を持つ結晶を堆積し、下地のダングリングボンドの向きを反映した島状結晶を異方的に成長させて、可視化する。例えば、水素−シラン−プロパンのガス系を用いて、Si上にSiCを1400℃でヘテロエピ成長させた後、50℃/minの降温速度で温度を下げ、同時にシラン:0.8sccmと水素:8slmを1分ほど供給し、Siを堆積させる。この系では、結晶AXにSiCを用い結晶YにSiを用いているので、Siを島状成長させる際にSiCはSiで終端される。よって、島の形状よりSiCにおけるSi原子のボンドの向きが決定でき、なおかつ、Si島の形状の分布により、APDの分布が分かる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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