炭素骨格の一部がホウ素及び窒素で置換されたヘテロフラーレンの製造方法

開放特許情報番号
L2003000201 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/1/24
最新更新日
2015/8/18

基本情報

出願番号 特願2000-245739
出願日 2000/8/14
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2002-060211
公開日 2002/2/26
登録番号 特許第3353068号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭素骨格の一部がホウ素及び窒素で置換されたヘテロフラーレンの製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 超伝導、強磁性、耐食性、超高硬度性の物理的、化学的性質の適用分野。
目的 炭素骨格の一部がホウ素及び窒素で置換されたヘテロフラーレンを高収率で、工業的に有利な製造方法を提供する。
効果 レーザー照射下でフラーレン及び窒化ホウ素の反応を行うことで、従来大量合成が困難であったヘテロフラーレンを高収率で製造できる。
技術概要
 
炭素骨格の一部がホウ素及び窒素で置換されたヘテロフラーレンを製造するに当たり、フラーレンと窒化ホウ素をレーザー照射下で反応させる。レーザー光はパルス光が好ましい。フラーレンと窒化ホウ素の使用割合は、目的とするヘテロフラーレンに含有される置換割合で決める。例えばホウ素及び窒素の炭素に対する割合が1:1:58の場合フラーレンと窒素の使用割合は1:571とされる。C↓60のようなフラーレンと窒化ホウ素を予めヘキサンやトルエン等の有機溶剤に懸濁分散し、パルス光のレーザ−照射を行う。レーザー波長は、例えばKrFエキシマレーザーでは、248nmが好ましい。反応温度は室温で、アルゴン又は窒素の不活性雰囲気下で行うのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 レーザー照射下でフラーレン及び窒化ホウ素の反応を行うことで、従来大量合成が困難であったヘテロフラーレンを高収率で製造できる。
改善効果2 炭素骨格の一部がホウ素及び窒素で置換されたヘテロフラーレンの製造が可能である。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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