アニール方法

開放特許情報番号
L2003000196 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2003/1/24
最新更新日
2015/8/18

基本情報

出願番号 特願平11-345410
出願日 1999/12/3
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-168053
公開日 2001/6/22
登録番号 特許第3345639号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 アニール方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア、加熱・冷却
適用製品 ダイヤモンド単結晶電子デバイス(pn接合、集積回路、トランジスタ、パワーエレクトロニクス部品)
目的 イオン注入したダイヤモンド単結晶を導入不純物のグラファイト化部分を回復させ電気的にn型に活性化させることができるアニール方法を提供する。
効果 不純物を導入した固体単結晶の電気的な活性化が可能となり、固体単結晶を電子デバイスとして実用化する目処をつけることができた。
技術概要
単結晶中に不純物原子Mを導入する際に生じた非晶質層や欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、固体単結晶は、ダイヤモンド、SiC、BN等のワイドギャップ半導体である。固体結晶体がダイヤモンド1であって不純物原子をイオン注入で導入する場合、イオン注入量は空格子点濃度が1×10↑22/cm↑3以下となるような注入量である。熱処理時にイオンビームを固体単結晶に照射して不純物原子Mを置換位置に導入し、固体単結晶を電気的に活性化させるのに、固体単結晶を400〜1100℃に保って行なう。イオンビームの照射量を100keV〜10MeVとし、イオンビーム照射のイオン種を↑4He以上の重元素で照射して、不純物原子Mを置換位置に導入し、固体単結晶を電気的に活性化させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 不純物を導入した固体単結晶の電気的な活性化が可能となり、固体単結晶を電子デバイスとして実用化する目処をつけることができた。
改善効果2 紫外光発光素子として用いる場合は、短波長による高密度光通信、高密度記録媒体への応用等が可能になる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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