超伝導検出器

開放特許情報番号
L2002010211 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/11/9
最新更新日
2015/8/18

基本情報

出願番号 特願平11-219286
出願日 1999/8/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2000-150975
公開日 2000/5/30
登録番号 特許第3331369号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 超伝導検出器
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出
適用製品 超伝導トンネル接合素子、放射線、光、X線
目的 センサ用STJ素子に印加する外部磁場を発生する超伝導磁界発生装置を、マイクロファブリケーション技術を用いてセンサ用STJ素子に磁場を閉じこめるように、又局在させるように形成することで、センサ用STJ素子と、超伝導磁気発生装置及びデジタル処理などを行うジョセフソン論理素子などとを同一チップ上に実現できる超伝導検出器の提供。
効果 位置決めも精確になり、任意の方向から精確に接合面に平行な外部磁場を印可することができ、かつ、漏洩磁束をマイクロメータのレベル範囲に閉じこめることが可能になり、同一チップ上に磁場に影響されやすいジョセフソン論理素子などを集積できることから、STJ素子で検出した信号のデジタル処理などを同一チップ上に実現でき、検出器の小型化、信頼性向上に大きく寄与できる。
技術概要
この技術では、マイクロファブリケーション技術を用いて超伝導磁気コイルをセンサ用STJ素子の左右に接合面に平行に若しくはフィスケステップ電流を抑制することにより高分解能で検出するようにするためにセンサ用STJ素子の上、下に接合面に平行にそれぞれ、スパイラル形状の超伝導インダクタンス線と超伝導グランドプレーンとをSTJ素子が集積されている同一超伝導チップ上に作製する。即ち、超伝導コイルの下側の超伝導電極部分に相当するフォトレジストを形成した後、ドライエッチングを行って不要な箇所の超伝導薄膜を除去し、下部電極部分が完成する。この上に酸化シリコン(SiO,SiO↓2)などの絶縁層を形成する。超伝導下部電極部分と電気的接続を形成する部分にフォトリゾグラフィ技術とドライエッチング技術により微小な穴(コンタクトホール)を形成する。この上に、超伝導下部電極と同じ要領で超伝導薄膜を形成し、フォトリゾグラフィ,ドライエッチング技術を用いて超伝導上部電極部分、超伝導コンタクト部分を形成し、超伝導コイルは完成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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