| 出願番号 |
特願2000-035726 |
| 出願日 |
2000/2/14 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2001-230213 |
| 公開日 |
2001/8/24 |
| 登録番号 |
特許第3326474号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
ダイヤモンドのアニール方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ダイヤモンド半導体 |
| 目的 |
イオン注入その他のプロセスによりダイヤモンド中に発生した損傷を低温において回復する方法の提供。 |
| 効果 |
アニール方法に用いるイオンビームのエネルギーは１００ｋｅＶ未満であることから、簡便なイオン加速装置を用いることができる。又、本技術のアニール方法は非熱平衡過程なので、添加元素を固溶限界以上に置換位置に固溶させることができ、添加元素の電気的活性化が期待できる。 |
技術概要
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この技術では、ダイヤモンド単結晶中に添加元素を導入する際に生じた欠陥層を熱処理により回復させるアニール方法において、熱処理時にイオンビームをダイヤモンド単結晶中に照射して、ダイヤモンド単結晶の結晶性回復をより低温で速く行う。そして、ダイヤモンドに添加元素をイオン注入する際に、ダイヤモンドに添加元素をイオン注入した時に生ずる空格子点濃度がグラファイト化のしきい値を超えない様な注入量とする。又、熱処理の時に併行して行うイオン種はヘリウム、イオン照射のエネルギーは４０ｋｅＶ以上１００ｋｅＶ未満とし、熱処理の温度が６００℃以上１１００℃以下である。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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