太陽電池用等の光電変換素子

開放特許情報番号
L2002009754 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/10/5
最新更新日
2015/8/17

基本情報

出願番号 特願2000-010876
出願日 2000/1/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-203373
公開日 2001/7/27
登録番号 特許第3300812号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光電変換素子
技術分野 化学・薬品、電気・電子、その他
機能 材料・素材の製造、表面処理、その他
適用製品 薄膜太陽電池
目的 光電変換素子である薄膜太陽電池で、受光面と反対側の半導体表面におけるキャリアの表面最結合速度は大きく開放電圧を低下する。この表面を不活性化してその影響を取り除き、太陽電池の効率を向上させる。
効果 半導体基板の表面が不活性化され、変換効率が高く電極の取り出しやすい構造の光電変換素子が実現できる。
技術概要
図は半導体基板の片方の表面に電極をもった光電変換素子の断面である。アルカリ珪酸塩或いは金属燐酸塩をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層5を用いて酸化アルミナ拡散反射基板6と半導体基板1とを接着して表面の不活性化を行う。半導体基板1は多結晶シリコン等の厚さ5μmでボロンを不純物としたP型で主表面11,12を有する。主表面11には拡散層深さ0.3μmのN型領域13と深さ0.5μmのP+型領域14が形成され、それぞれアルミニウム電極2、3がオーミック接続される。表面12には厚さ0.2μmの接着剤層5がある。また拡散層13,14の表面保護のため厚さ0.1μmのSiO2保護膜4を付けてある。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 半導体基板の表面が不活性化され、変換効率が高く電極の取り出しやすい構造の光電変換素子が実現できる。
改善効果2 接着剤層での光の反射係数が高くなり、光の閉じ込め効果が改善され更に変換効率の高い構造の光電変換素子が実現できる。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT