フロン或いはフッ素化合物のプラズマ分解装置及び分解方法

開放特許情報番号
L2002009093 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/8/10
最新更新日
2015/8/17

基本情報

出願番号 特願平11-232419
出願日 1999/8/19
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2001-054732
公開日 2001/2/27
登録番号 特許第3271005号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 フロン或いはフッ素化合物のプラズマ分解装置及び分解方法
技術分野 化学・薬品、有機材料
機能 環境・リサイクル対策
適用製品 廃冷蔵庫、廃ルームクーラー、廃自動車、半導体製造施設等から排出されるフロン或いはフッ素化合物の除去処理装置
目的 フロン或いはフッ素化合物を高い分解効率でプラズマ分解し、有害副生成分の発生を完全に抑えることができる装置及び方法を提供する。
効果 2%(20,000ppm)未満のフロン或いはフッ素化合物をAr或いはN気流下でプラズマ分解し、高い分解効率を得ると共に、アルミナコーティングリアクタ或いはアルミニウム含有酸化物を充填したリアクタにおいて、有害副生成物の発生を完全に抑えられる。
技術概要
図に示す円筒状プラズマ分解装置は、電極表面に薄いアルミナ層をコーティングしたプラズマリアクタ或いはリアクタ内部へアルミニウム含有酸化物を充填したものである。図中1は内部電極、2は外部電極、5は両極間に高電圧を印加する電源、6は内部電極固定用テフロンキャップ、7は充填した強誘電体を保持する押さえ板、9はアルミナコーティング層である。排ガスは矢印aから流入し、押さえ板7の透孔を通り、誘電体物質を充填したプラズマ処理室に導入され、フロン類が分解した後、矢印bで示す流れとして排出される。希釈ガスにはアルゴン、水蒸気、酸素、窒素、水素が用いられ、フロン類の濃度は100〜20,000ppm程度であり、電極間印加電圧は処理ガスの濃度で変わるが1〜10kV/cmである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

導入メリット 【 】
改善効果1 電極面をコーティングしない従来型リアクタで実現できなかった有害副生成物(COF↓2、SiF↓4、HF)の完全な除去が可能となった。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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