超伝導集積回路のフリップチップ接続方法

開放特許情報番号
L2002008755 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/7/27
最新更新日
2015/8/17

基本情報

出願番号 特願平11-103905
出願日 1999/4/12
出願人 経済産業省産業技術総合研究所長
公開番号 特開2000-299505
公開日 2000/10/24
登録番号 特許第3213722号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 超伝導集積回路のフリップチップ接続方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 超伝導集積回路チップ、ボンディングパッド
目的 高さ数ミクロンのバンプを用いることで、接続部のインダクタンスを大幅に低減させる高速信号伝送特性の改善の実現。
効果 接続部のインダクタンスを大幅に低減させることができ、接続部を通じての高速信号伝送特性を改善させることができる。
技術概要
この技術では、Si、石英、サファイアなどから構成することのできる基板の上に、Nbを堆積し、配線用レジストパターンを形成した後、エッチングを行う。次に、レジストを有機溶媒により除去することにより、基板上に所定パターンのNb配線を形成する。そして、バンプ用レジストパターンをフォトリソグラフィ技術により形成した後、PbおよびInを順に蒸着法により堆積する。ここで、Inの厚さは、Pbの厚さの10分の1とする。Pb/In膜の作成手順は、全体の膜厚が3ミクロンの場合、Pb:Inの膜厚比が9:1となるように、初めに2.7ミクロンのPb膜を真空蒸着により堆積し、連続して、0.3ミクロンのIn膜を真空蒸着により堆積して、Pb/In合金膜を作成する。室温で連続して堆積するだけで、In原子がPb膜の中に拡散し、合金化する。Pbのみで超伝導膜として作用するが、耐水性が全くないので、Inを10%添加することにより、超伝導性を保ちながら、十分な耐水性を維持することができる。次に、有機溶媒に浸潤させ、レジスト上のPb/In膜をリフトオフ法により、除去することにより、Pb/Inバンプを形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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