半導体量子細線デバイス

開放特許情報番号
L2002002562 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/3/9
最新更新日
2015/8/14

基本情報

出願番号 特願平09-347612
出願日 1997/12/17
出願人 経済産業省産業技術総合研究所長
公開番号 特開平11-186535
公開日 1999/7/9
登録番号 特許第3165822号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 半導体量子細線デバイス
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体量子細線デバイスおよび、負性抵抗を呈するトランジスタないしダイオードとして構成できる量子細線デバイス
目的 従来の欠点を解消するか、少なくとも緩和し得る原理構成を有し、高速動作可能な負性特性デバイスの提供。
効果 負性特性を呈し得る半導体高速動作デバイスが提供できる。主たる電流通路(電子波導波路)として用いている量子細線自体の中に冶金学的に実体のある薄層ないし量子箱を作り込む必要もなく、所望の障壁高、障壁間幅、繰返し個数の多重量子障壁領域をかなりな自由度で形成することができ、素子作製後の調整も可能となる。
技術概要
この技術では、GaAsで構成できる基板の上には、量子細線を閉じ込める周囲バリア層となる量子細線埋込層が例えばAlGaAs系材料で堆積形成され、その中に、電子ないし電流の主たる通路となる量子細線が埋め込まれている。量子細線の材質はこれもGaAs系であって良く、その断面幅も既存の技術に従い十分小さく、例えば100Å程度にされている。電子波の導波路となる量子細線中では、入射電子のエネルギを一定にし得、電子と電子の散乱や電子と格子の散乱等を低減することができ、電子の運動を量子細線の長さ方向に限定することができるため、極めて高速な走行が可能になる。量子細線埋込層の表面上には、例えばSiO↓2により構成できる絶縁膜が基板の大域的領域上に設けられており、その上に量子細線の長さ方向に沿い、電子注入電極であるエミッタ電極、制御電極ないし加速電極であるベース電極、複数組の電極群の入れ子構造から成る多重量子障壁形成電極、そして電子引出電極となるコレクタ電極が互いに適当な距離だけ離間して設けられている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT