超伝導メモリセル及びこれを用いた超伝導メモリ装置

開放特許情報番号
L2002001796 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/2/9
最新更新日
2015/8/14

基本情報

出願番号 特願平11-070092
出願日 1999/3/16
出願人 工業技術院長
公開番号 特開2000-268579
公開日 2000/9/29
登録番号 特許第3131632号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 超伝導メモリセル及びこれを用いた超伝導メモリ装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 超伝導メモリセル、特に記憶情報担体を一磁束量子パルスとする超伝導メモリセルと、これを複数個用いて二次元メモリ空間を構成したメモリ装置
目的 小型、簡単な回路構成でありながら周辺回路の負担も軽く、書き込み時と読み出し時とで選択線に流す電流値を特には異ならせなくても済むメモリセルと、それを用いた二次元配列のメモリ装置の提供。
効果 極めて小型、簡素である外、書き込み時と読み出し時とで電流制御シーケンスを変える必要もないメモリセル及びメモリ装置を提供できる。配置、配線も原理的に短縮化、直線化しやすい構造となっているため、高速動作にも極めて好ましい。
技術概要
この技術では、シリコン基板等、適当なる基板上には例えばニオブ製の超伝導グランドプレーンを敷き詰めるように形成し、その上に二酸化シリコン等、適当なる材質の絶縁層を介して超伝導マイクロストリップ線路構造によるX選択線が形成する。このX選択線は例えばニオブ製で、その殆どの部分がジョセフソン接合の下部電極配線層として用いており、コンタクトを介して各ジョセフソン接合の上部電極に接続する部分を除き、ほぼ全長にわたって真っ直ぐな配線形状で良い。これが、各メモリセルから選択的に出力される論理“1”を表すパルスを高速に伝播するのに極めて都合の良い構成となる。センス回路とのインピータンス整合も、マイクロストリップ線路構造により、十分高い精度で確保し得る。ジョセフソン接合それ自体は、下部電極と上部電極の間にトンネル障壁層を挟んで構成された簡単なもので良く、例えばニオブ/酸化アルミニウム/ニオブ積層構造であって良い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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