荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置

開放特許情報番号
L2002000557 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2002/1/12
最新更新日
2015/6/22

基本情報

出願番号 特願平09-064530
出願日 1997/3/18
出願人 株式会社東芝、東芝機械株式会社
公開番号 特開平10-261562
公開日 1998/9/29
登録番号 特許第3120051号
特許権者 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、株式会社ニューフレアテクノロジー
発明の名称 荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 荷電粒子ビームにより照射対象面上に図形を描画する荷電ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置
目的 高精度の荷電粒子ビーム描画装置において、高精度な近接効果補正を高速で行うことのできる近接効果補正装置の提供。
効果 荷電粒子ビーム散乱の影響の分布がダブルガウシャンの近似できない場合に、複数個のガウス分布の和によって荷電粒子ビームの後方散乱の影響を評価することができ、精度の高い近接効果補正を高速で実施できる。
技術概要
この技術では、荷電粒子ビームを描画対象表面に照射して描画を行う際に、照射ビームの散乱による近接効果を評価して照射量を補正する荷電粒子ビーム描画用の近接効果補正装置において、照射対象面へ照射する荷電粒子ビームの照射面積及び照射強度から、対象表面上の縦横方向に区切られた微小な格子領域の照射量を求める照射量計算手段と、各々の格子領域に対して、その周囲の長方形で囲まれる複数の周辺格子領域に対する前記照射量計算手段で求められた照射量の散乱による照射影響を評価する散乱影響評価手段と、散乱影響評価手段の結果から、目的の描画図形パターンを描画するための適切な荷電粒子ビームの補正照射強度を各格子領域毎に計算する補正照射強度導出手段とを具備してなり、前記散乱影響評価手段は、照射量計算手段で求めた各周辺格子領域での照射量とガウス分布関数との積による畳み込み計算を行い、かつこの畳み込み計算を分布関数の広がりのパラメータ値が異なる2つ以上のガウス分布について散乱率で重み付けして計算した結果の和として求めることにより近接効果を評価する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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