配向性単層強誘電体酸化物薄膜およびその製造方法並びに該強誘電体薄膜を用いたスイッチング素子

開放特許情報番号
L2001008644 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2001/7/21
最新更新日
2015/8/14

基本情報

出願番号 特願平11-295121
出願日 1999/10/18
出願人 工業技術院長
公開番号 特開2001-114597
公開日 2001/4/24
登録番号 特許第3111220号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 配向性単層強誘電体酸化物薄膜およびその製造方法並びに該強誘電体薄膜を用いたスイッチング素子
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 強誘電体酸化物薄膜、スイッチング素子
目的 平滑な表面を有し、高品質なスイッチング素子を作製するために有用な配向性単層強誘電体酸化物薄膜及びその工業的に有利な製造方法並びに強誘電体酸化物薄膜上に導電体薄膜を積層してなる高品質なスイッチング素子。
効果 分子層レベルの凹凸からなる平滑な表面を有し、単層の、結晶学的にも優れた強誘電体酸化物薄膜を簡略された工程で簡単にかつ安価に作製できる。又、配向性強誘電体酸化物単層薄膜に導電性薄膜を積層させたスイッチング素子は基板との密着性に優れると共に均一な電流が流れ、しかも良好なスイッチング特性を有し、工業的に極めて有用なものである。
技術概要
 
この技術では、有機鉛溶液、有機チタン溶液、有機ジルコニウム溶液、鉛、ジルコニウム、チタンのモル比が1.1:0.5:0.5となるよう混合する。次に、この混合溶液をNbドープSrTiO3(001)基板上にスポイトで2ないし3回ほど滴下し、スピン塗布法により基板上に塗布する。次に、この基板をホットプレート上で、80℃で3分、250℃で10分加熱して有機溶媒を乾燥させる。さらにこれらの塗布工程と乾燥工程とを合計5回行う。次に、この試料を480℃に加熱した反応炉に入れ、酸素ガス気流中で20分間の加熱を行う。その後また塗布工程と乾燥工程を5回繰り返し、同じ条件で仮焼する。最後に、この試料を650℃に加熱した反応炉に入れ、酸素気流中で20分間の加熱を行う。以上の工程により、NbドープSrTiO3(001)基板上に膜厚400nmを有するPZT薄膜を作製することができる。そして、得られた平滑なPZT薄膜上に、導電性薄膜を成長させて3端子のスイッチング素子を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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