ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置

開放特許情報番号
L2001000347
開放特許情報登録日
2001/1/13
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願平10-296145
出願日 1998/10/2
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2000-109971
公開日 2000/4/18
登録番号 特許第3790809号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置
技術分野 電気・電子、機械・加工、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 真空機器・レーザ応用機器、半導体・超伝導体等薄膜製造装置、ラマンシフト真空紫外線等のPLD装置
目的 ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置を提供する。
効果 本発明のレーザ蒸着方法は、作製しようとする薄膜の材料や物質の種類に依存しない。即ち、ターゲットさえ作製できれば、無機材料か有機材料かに依存せずに、また、半導体、誘電体、超伝導体、磁性体、伝導体、絶縁体などの金属酸化物系、金属系や化合物系のいずれをも対象にしてその結晶薄膜を作製でき、また、ターゲット位置を順次に変えさえすれば高品質の多層積層薄膜を作製することが可能である。
技術概要
 
高い基準分子振動数を持つ物質に紫外線パルスレーザ光を照射して該レーザ光の短波長化を行い、真空紫外線を含み蒸着に充分な出力エネルギーと安定度とを持つラマンシフト化したパルスレーザ光を発生させ、該ラマンシフト真空紫外線を含むパルスレーザ蒸着により、ターゲット物質を蒸発させて基板上に該物質の薄膜を作製する方法及びその装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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