ガラス基板上に形成されたエレクトレット化された有極性高分子薄膜からなり、二次非線形光学材料として有利に用いられるエレクトレット及びその製造方法

開放特許情報番号
L2000007509
開放特許情報登録日
2000/12/9
最新更新日
2015/8/12

基本情報

出願番号 特願平09-239020
出願日 1997/8/20
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開平11-067591
公開日 1999/3/9
登録番号 特許第3733416号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 エレクトレット及びその製造方法
技術分野 電気・電子、有機材料、無機材料
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 本発明のエレクトレットは高い二次非線形光学定数値を有することを特徴とする。したがって、このようなエレクトレットは、非線形光学材料、特に、波長変換材料、電気工学(EO)素子材料等として有利に用いられる。
目的 本発明は、二次非線形光学材料して有利に用いられるエレクトレット及びその製造方法を提供することにある。
効果 本発明によってもたらされたエレクトレットは、従来のものとは異なり、有極性高分子薄膜とガラス基板からなるもので、高い二次非線形光学定数値(d33)を有することを特徴とする。このようなエレクトレットは、非線形光学材料、特に、波長変換材料、電気光学素子材料等に有利に用いられる。
技術概要
本発明は従来の圧電素子や焦電素子への応用を目的としたエレクトレットでなく、波長変換材料や電気光学素子材料に用いられる新しい二次非線形光学材料用のエレクトレットを提供するためのものである。本発明は図1に示す様に、ガラス基板3の上に有極性高分子薄膜4を形成した構造のもので、この素子の二次非線形光学特性を高めるべく研究されたものである。この研究過程で特筆すべきことは、図2に示す様にガラス基板上の有極性高分子薄膜4の二次非線形光学定数値(d33)が、ガラス基板3の表裏間の電気抵抗値に対してピーク値を有することを見出した点である。d33のピーク値に対応する表裏間の電気抵抗Ω↓0を有する基板を用いることにより、最も大きな二次非線形光学特性を有するエレクトレットを得ることが出来る。本発明のエレクトレットの場合、電気抵抗が0.8Ω↓0と1.2Ω↓0の範囲にあれば、十分に実用性のある二次非線形光学材料として使用することが出来る。この条件がそのまま本発明の「特許請求の範囲」になっている。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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