導電性結晶を下部電極として備えた結晶の電気光学効果を利用した光変調器

開放特許情報番号
L2000005704 この特許の事業構築のヒントや可能性をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2000/9/9
最新更新日
2015/8/12

基本情報

出願番号 特願平10-135228
出願日 1998/5/18
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平11-326853
公開日 1999/11/26
登録番号 特許第2963989号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光変調器
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 電気光学位相変調器、電気光学強度変調器
目的 小さな印加電圧で電気光学結晶導波路内に大きな電界を生じさせ、大きな光屈折率変化を生じさせることのできる光変調器を提供する。
効果 下部電極を導電性結晶材料とし、導波路結晶をその上にヘテロエピタキシャル成長させることで、光導波路を上下から挟み込む構造とて、印加電圧のすべての成分が電気光学効果に寄与できるようにする。これにより、変調電圧の低減を行うことができる。
技術概要
マッハツェンダ型光変調器は、Zカットのニオブ酸リチウム結晶基板5に酸化亜鉛結晶を成長させ、これを下部結晶電極とする。その上にニオブ酸リチウム(以下LN)結晶薄膜3をヘテロエピタキシャル成長させ、LN結晶薄膜3上にマッハツェンダ型の導波路パターンマスクをタンタル薄膜で作製する。この試料をピロリン酸に約200℃、20分程度浸しプロトン交換を行い、空気中で300℃、1時間のアニ−ルを行ってプロトン交換光導波路1を作製する。作製したマッハツェンダ型導波路の2本の分岐線路上に透明絶縁物の酸化リリコン膜2を介して上部金電極6、7を蒸着で付ける。 下部電極4をOVに接続し、電源装置9を用いて上部金電極7に正電圧を、電源装置8を用いて上部金電極6に負電圧を印加する。これにより、上部電極7の下の導波路中と、上部電極6の下の導波路中に生じる電界は方向が逆なので、電気光学効果によって生じる屈折率変化の符号が逆になり、一方の導波路を通る光の位相は進み、他方を通る光の位相は遅れる。これらが再び重ね合わされて出力されるので、干渉により出力光強度が印加電圧によって変化する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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