片面だけに含硫黄有機分子自己組織化単分子膜を有する固体平面基板の接触角をウィルヘルミ・プレート法によって精度良く測定しうる含硫黄有機分子自己組織化膜の動的接触角の測定方法

開放特許情報番号
L2000004598
開放特許情報登録日
2000/6/10
最新更新日
2015/8/10

基本情報

出願番号 特願平09-075133
出願日 1997/3/27
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平10-267824
公開日 1998/10/9
登録番号 特許第2972858号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 含硫黄有機分子自己組織化膜の動的接触角の測定方法
技術分野 有機材料、無機材料、金属材料
機能 検査・検出、表面処理、制御・ソフトウェア
適用製品 マイカ基板の片面に金属又は半導体薄膜を形成し、その上に含硫黄有機分子の自己組織化単分子膜を被覆し、前記単分子膜表面の動的接触角をウィルヘルミ・プレート法で測定する技術。
目的 従来、金チオラート自己組織化単分子膜をはじめとする含硫黄有機分子自己組織化単分子膜の表面性状の接触角による評価は、液滴法による静的測定でのみ行われていた。しかし、ウィルヘルミ・プレート法のほうが精度が高いこと、静的測定では表面の不均一性等の評価ができない。 本発明は、片面だけに含硫黄有機分子自己組織化単分子膜を有する固体平面基板の動的接触角をウィルヘルミ・プレート法によって精度良く測定しうる方法を提供する。
効果 片面のみに含硫黄有機分子の自己組織化単分子(以下SAMという)膜を有するマイカ基板を用いて、含硫黄有機分子SAM膜表面の動的接触角の測定を高い精度で行うことができる。マイカを用いることにより、測定直前のへき開で簡便にマイカ露出面を清浄面とすることができ、工程中汚染の影響を受けることなく接触角測定が行える。マイカへき開面は平滑性が高く、化学的に不活性なので、どのような液体に対しても安定した接触角が得られ、正確な測定が行える。特に基板を純水に浸漬して測定する場合にはマイカ露出面の接触角をゼロとして算出できる。
技術概要
マイカ基板の片面に金属又は半導体の薄膜を形成し、その上に含硫黄有機分子SAM膜を浸漬法又は気化吸着法により被覆し、次いでマイカ基板のマイカ露出面をへき開して、片面がSAM膜被覆のマイカ基板を調整し、このマイカ基板のSAM膜の動的接触角をウィルヘルミ・プレート法で測定する。又、片面にSAM膜被覆を有する前記マイカ基板に、基板が傾かないだけの荷重を付加して測定を行う。 用いるマイカ基板は、接触角測定直前にそのマイカ露出面をへき開して、清浄面にすることができる平面基板であればよいが、接触角測定時に基板の厚みが基板にかかる力に影響しないよう、厚みが幅の3%以下のものが好ましい。 金属の例としては、金、銀、白金、水銀、鉄、酸化鉄などが挙げられ、特に金が好ましい。 半導体の例としては、GaAs、InPなどが挙げられる。 マイカ基板の片面に金属又は半導体を、蒸着等の方法で形成することができ、膜厚は通常数100Å〜数100μmである。 金属又は半導体を片面に有するマイカ基板に、気化吸着法、浸漬法など、通常のSAM膜形成の方法、条件でSAM膜を形成する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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