導電材料や発光材料として用いられるポリシランの製造方法及びこの方法に用いられる触媒

開放特許情報番号
L1999012867
開放特許情報登録日
1999/12/25
最新更新日
2015/8/10

基本情報

出願番号 特願平09-230902
出願日 1997/8/27
出願人 工業技術院長
公開番号 特開平10-120793
公開日 1998/5/12
登録番号 特許第3060006号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ポリシランの製造法および有機ジルコニウム錯体
技術分野 電気・電子、化学・薬品、有機材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、安全・福祉対策
適用製品 導電材料、発光材料、光電変換材料、フォトレジスタ、重合開始剤。
目的 ポリシランを製造する工程において、添加物を入れたり、困難な条件下での反応を必要とすることなく、高い回収率でポリシランを製造すること。
効果 製造工程において、低い温度下で且つ不活性ガス雰囲気の中で行うので簡易な条件下で反応を行うことができるとともに安全な環境で反応を行うことができる。ポリシランの分離はクロマトログラフィ等によって容易にできる。しかも、収率は30〜50%程度の高い収率である。
技術概要
 
有機チタン錯体または有機ジルコニウム錯体からなる触媒下で、有機トリヒドロシラン類を脱水素縮合して、ポリシランを製造する。この結果得られるポリシランは高重合度のものであり、重合度を示すa値は10〜500の範囲である。触媒の使用料は2モル%以下で溶媒としてベンゼン等の炭化水素やエーラルが用いられる。反応温度は室温ないし100℃である。反応は不活性ガス下で行う。反応で得られたポリシランは、フロリジルクロマトグラフィにによって分離精製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT