半導体製造装置の洗浄方法

技術の内容 半導体の製造では、成膜工程や処理工程において様々な物質が装置内に供給され、使用されなかった物質の大部分は放出されるが、残りの部分は装置内面に付着する。この付着物を、次の半導体製造までに除去する必要がある。
本技術は、チャンバー内の各種パーツを損傷させず、フッ素を含有するガスをプラズマ化して、プロセスチャンバー内をクリーニングする技術である。
製品イメージ 本クリーニング方法は、地球温暖化に影響を与えるガスの排出や配管などの腐食等を抑制しながら、プロセスチャンバー内のクリーニングを行うことができる。
製品のお客様イメージ プラズマ成膜装置を利用して、シリコン酸化膜や窒化膜を形成する半導体メーカーが対象。
実施許諾対象企業イメージ 半導体メーカー全般

各技術の詳細

出願番号
特願2003-189510
公開番号
特開2005-026409
登録番号
第4220318号
出願番号
特願2008-111377
公開番号
特開2009-266884
登録番号
第5214316号
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