| 出願番号 |
特願2021-115791 |
| 出願日 |
2021/7/13 |
| 出願人 |
独立行政法人国立高等専門学校機構、株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ |
| 公開番号 |
特開2023-012258 |
| 公開日 |
2023/1/25 |
| 登録番号 |
特許第7294601号 |
| 特許権者 |
独立行政法人国立高等専門学校機構、株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ |
| 発明の名称 |
光電変換素子の製造方法、光電変換素子、光電変換素子におけるｎ型半導体層の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、有機材料、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、環境・リサイクル対策 |
| 適用製品 |
本技術は太陽電池への応用が可能である。また、その太陽電池は、ＩｏＴデバイスのへ応用、アウトドア製品や建設材料、農業用途への活用等、様々な製品への応用が考えられる。 |
| 目的 |
四塩化チタンを利用して製造した光電変換素子の製造方法、及び、光電変換素子を提供することを目的とする。 |
| 効果 |
本発明の光電変換素子は、接合面積の拡大により電子・正孔生成が促進され、短絡電流密度が向上するという優れた効果を有する。 |
技術概要
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本発明は、光電変換素子を効率的に製造する方法を提供します。その方法は、基板上に陰極を形成し、その上に四塩化チタン水溶液を利用してn型半導体層を作成します。続いて、n型半導体層の上にp型半導体材料の薄膜を形成し、さらにその上に陽極を重ねます。この構造ではn型とp型半導体層が組み合わされており、バルクヘテロ接合構造を採用することで優れた光電変換性能を実現しています。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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