| 出願番号 |
特願2023-023245 |
| 出願日 |
2023/2/17 |
| 出願人 |
独立行政法人国立高等専門学校機構、株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ |
| 公開番号 |
特開2024-117252 |
| 公開日 |
2024/8/29 |
| 登録番号 |
特許第7591740号 |
| 特許権者 |
独立行政法人国立高等専門学校機構、株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ |
| 発明の名称 |
光電変換素子、光電変換層の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、有機材料、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、環境・リサイクル対策 |
| 適用製品 |
本技術は太陽電池への応用が可能である。また、その太陽電池は、ＩｏＴデバイスのへ応用、アウトドア製品や建設材料、農業用途への活用等、様々な製品への応用が考えられる。 |
| 目的 |
光電変換素子に外部バッテリーを接続する必要があるため、装置が大型化してしまう。本発明は、発電機能と蓄電機能を有するため、省スペース化を可能にする。 |
| 効果 |
本発明の光電変換素子は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し、尚且つ、蓄電することができるという優れた効果が有する。 |
技術概要
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本発明の光電変換素子は、2つの電極の間に配置された構造で、p型半導体層とn型半導体層を積層した設計で構成されています。p型半導体層には、p型半導体特性を持つカーボンナノチューブを使用し、n型半導体層には酸化チタン（TiO↓2）を採用しています。また、n型半導体材料には塩素を含むチタン化合物が含まれており、この光電変換層は、発生した電子と正孔を蓄える蓄電機能を兼ね備えています。製造方法としては、まず基板上に陰極を形成し、次に四塩化チタン水溶液を使用して陰極の上にn型半導体層を作ります。その後、n型半導体層の上にp型半導体材料の薄膜を形成し、最終工程としてp型半導体層の上に陽極を形成します。この方法により、高効率な光電変換素子が製造可能となります。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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