光電変換素子の製造方法

開放特許情報番号

L2022000428

開放特許情報登録日

2022/3/25

最新更新日

2024/5/21

基本情報

出願番号	特願2017-158893
出願日	2017/8/21
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2019-036693
公開日	2019/3/7
登録番号	特許第6937189号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	光電変換素子の製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	固体撮像素子を構成する光電変換素子の製造方法
目的	結晶セレンの結晶性や結晶配向性を大きく改善することができ、結晶セレン内で発生する暗電流を低減することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
効果	下地層としてのテルルからなる膜を厚みが０．１nm以上、かつ３nm以下となるように成膜した上に、結晶セレンを製膜すれば、テルルの結晶に倣うようにしてセレンの結晶が形成されるので、セレンの結晶性（格子面の状態）および結晶配向性（格子間隔）を良好にすることができる。 また、テルル膜作成用の蒸着源の温度を４５０℃以上とすることにより、テルル膜の結晶性および結晶配向性を良好にすることができ、結晶セレンにおいて生じる暗電流を大幅に低減することができる。
技術概要	光電変換膜を結晶セレンにより作成する光電変換素子の製造方法において、 まず、倣い用下地層として、テルル膜を０．１nm以上、かつ３nm以下の厚みに形成し、 続いて、前記倣い用下地層上にアモルファス状のセレンを成膜し、このアモルファス状のセレンを加熱して結晶セレンからなる前記光電変換膜を作成する光電変換素子の製造方法において、 前記テルル膜からなる前記倣い用下地層を蒸着法を用いて作成し、蒸着源の温度を、前記テルル膜の結晶性および結晶配向性を良好にし得る４５０℃以上とすることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】