適用製品
結晶セレン膜を含む光電変換膜およびその製造方法、光電変換膜を備える光電変換素子
目的
光電変換膜を備え、逆バイアス電圧印加時の暗電流を低減できる光電変換素子を提供する。
効果
結晶セレン膜の結晶粒径が均一であるので、光電変換膜面内の位置による特性のばらつきが発生しにくく、光電変換膜を備える光電変換素子における逆バイアス電圧印加時の暗電流を低減できる。
技術概要
厚みが０．０１〜１．０ｎｍである接合膜と、
前記接合膜上に形成され、全ての結晶の円相当径ｄがｍ±３σ（ｍは結晶の円相当径の平均値であり、σは標準偏差である。）の範囲内である結晶セレン膜とを有することを特徴とする光電変換膜。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
