| 出願番号 |
特願2019-543425 |
| 出願日 |
2018/6/22 |
| 出願人 |
慶應義塾 |
| 公開番号 |
WO2019/058681 |
| 公開日 |
2019/3/28 |
| 登録番号 |
特許第7109094号 |
| 特許権者 |
慶應義塾 |
| 発明の名称 |
マグネシウム二次電池用正極活物質及びその製造方法、並びにマグネシウム二次電池 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
マグネシウム二次電池用正極活物質及びその製造方法、並びにマグネシウム二次電池 |
| 目的 |
高容量でかつレート特性が良好なマグネシウム二次電池を実現し得る、正極活物質及びその製造方法を提供する。また、高容量でかつレート特性が良好なマグネシウム二次電池を提供する。 |
| 効果 |
高容量でかつレート特性が良好なマグネシウム二次電池を実現し得る、正極活物質及びその製造方法を提供することができる。また、高容量でかつレート特性が良好なマグネシウム二次電池を提供することができる。 |
技術概要
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窒素吸着法によって測定されるＢＥＴ比表面積が５０〜２００ｍ↑２／ｇであり、
水銀圧入法により測定される細孔径１〜１０μｍの細孔の容積が０．３５ｃｍ↑３／ｇ以上、かつ全細孔容積の３０％以上を占める、
マグネシウム二次電池用正極活物質。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)