出願番号 |
特願2005-205747 |
出願日 |
2005/7/14 |
出願人 |
国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 |
公開番号 |
特開2007-024629 |
公開日 |
2007/2/1 |
登録番号 |
特許第4803516号 |
特許権者 |
国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 |
発明の名称 |
低ガンマ線感度化中性子及び粒子線用イメージングプレート |
技術分野 |
無機材料、機械・加工、化学・薬品 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
低ガンマ線感度化中性子イメージングプレート |
目的 |
低ガンマ線感度の中性子イメージングプレートを提供する。 |
効果 |
ガンマ線に対する感度を大幅に低下させることが可能となる。また、低ガンマ線感度化中性子イメージングプレートが実現することができる。 |
技術概要
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↑10B↓2O↓3ガラスに表面有感輝尽性蛍光体粉末が分散している中性子イメージングプレートであって、輝尽性蛍光を示さないBaFX:Eu↑(2+)(X:Br,ClあるいはBrとClの混合)蛍光体粉末と、↑10B同位体の組成比が80%以上のホウ酸(H↓3↑10BO↓3)粉末とを、均一に混合した粉末を金属基板に塗布し、500℃以上700℃以下の温度範囲内で一定時間焼結し、BaFX:Eu↑(2+)(X:Br,ClあるいはBrとClの混合)蛍光体粉末の表面に↑10Bが入り込むことにより欠陥を熱拡散により導入してなることを特徴とする中性子イメージングプレート。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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